Samsung 990 2 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND

SAMSUNG

Referencia: MZ-V9V2T0BW

Especificaciones clave

Marca SAMSUNG

Modelo MZ-V9V2T0BW

IVA incluido

Stock disponible: 47

🔒 Compra protegida Transferencia bancaria

Descripción

Marca: SAMSUNG
Part number: MZ-V9V2T0BW

4 grupos

Control de energía

Voltaje de operación 3,3 V

Consumo de energía (lectura) 4,3 W

Consumo de energía (escritura) 3,8 W

Consumo de energía (espera) 0,055 W

Consumo de potencia DevSlp (modo sueño) 3 mW

Peso y dimensiones

Ancho 80,2 mm

Profundidad 2,38 mm

Altura 22,1 mm

Empaquetado

Tipo de embalaje Caja

Condiciones ambientales

Intervalo de temperatura operativa 0 - 70 °C

Golpes en funcionamiento 1500 G

Todavía no hay opiniones de este producto.